2024年11月14-15日，中国常州，为期两天的“2024CVD硅碳负极用多孔碳材料技术大会”取得圆满成功。本次盛会吸引了多孔碳材料及沉积硅碳负极材料领域的产业与学术精英，共同见证了多孔碳材料与沉积硅碳技术的最新进展与未来趋势。昱瓴作为国内沉积硅碳负极领域的领军企业，硅烷沉积核心专利的授权打破了沉积硅碳负极险些被美国垄断或称霸的局面，凭借其在硅基负极材料技术和新型多孔碳技术创新方面的杰出成就，荣获科技创新奖。

      本次大会聚焦“多孔碳材料：CVD沉积硅碳负极量产的关键”，旨在通过深入交流与探讨，推动多孔碳材料技术在沉积硅碳领域的持续创新与应用拓展。在会议期间，业内知名专家学者及企业代表围绕多孔碳材料的制备工艺、性能优化、应用开发等前沿话题，分享了最新的科研成果与技术装备研究进展。 

      昱瓴作为沉积硅碳领域的佼佼者，一直致力于新型多孔碳材料的研发与产业化应用。此次获奖，不仅标志着昱瓴在硅碳负极技术领域取得了较大的突破，也进一步彰显了公司在锂电材料领域的创新能力和行业影响力。昱瓴将以此为契机，继续加大研发投入，深化产学研合作，推动沉积硅碳负极材料技术的持续创新与应用拓展，为新能源产业的快速发展贡献更多力量。

      未来，昱瓴将秉持开放合作的理念，与国内外同行携手共进，共同推动沉积硅碳负极产业的繁荣发展。我们相信，在大家的共同努力下，多孔碳材料必将在沉积硅碳负极领域发挥更加重要的作用，为人类社会的可持续发展做出更大贡献。

      在此，昱瓴对大会组委会及各位专家、学者的支持与认可表示衷心的感谢，并期待在未来的合作中，共同开创硅碳负极材料技术的新篇章。